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一种浪涌防护器件
摘要文本
本发明提供一种浪涌防护器件，包括：N型衬底，所述N型衬底整个背面设有背面P阱层，所述N型衬底的正面设有正面P阱层，所述正面P阱层的一侧设有N+注入区。本发明的浪涌防护器件由于将TVS、TSS集成在了一起，其在经受正向浪涌时，表现为TVS特性；经受到负向浪涌时，表现为TSS特性，完全解决了应用中需要用一颗TVS和一颗TSS串联使用的问题，而且该浪涌防护器件集成度高、产品成本较低，方便连接外部电路、应用简便。
申请人信息
- 申请人:深圳市槟城电子股份有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区宏发科技工业园A区E栋一层西侧
- 发明人: 深圳市槟城电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种浪涌防护器件 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201610009821.0 |
| 申请日 | 2016年1月5日 |
| 公告号 | CN105552873B |
| 公开日 | 2024年3月29日 |
| IPC主分类号 | H02H9/04 |
| 权利人 | 深圳市槟城电子股份有限公司 |
| 发明人 | 骆生辉 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区宏发科技工业园A区E栋一层西侧 |
专利主权项内容
1.一种浪涌防护器件，其特征在于，包括：N型衬底，所述N型衬底整个背面设有背面P阱层，所述N型衬底的整个正面设有正面P阱层，所述正面P阱层包括在平行于所述N型衬底表面方向上邻接设置的正面深P阱层和正面浅P阱层，N+注入区设置在所述正面浅P阱层内，且靠近所述N型衬底正极的一侧；所述背面P阱层包括在平行于所述N型衬底表面方向上邻接设置的背面深P阱层和背面浅P阱层，在平行于所述N型衬底表面方向上，所述正面浅P阱层与所述背面深P阱层相对应；所述背面深P阱层设有多个分开的深P阱。