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一种存储器及其控制方法和装置

申请号: CN201811531358.1
申请人: 兆易创新科技集团股份有限公司; 合肥格易集成电路有限公司
申请日期: 2018年12月14日

摘要文本

本发明公开了一种存储器及其控制方法和装置,存储器包括存储模块,存储模块包括多个数据块,该控制方法包括:判断存储器是否处于数据回收模式;如果检测到存储器处于数据回收模式,查找出以单层存储方式写入第一数据的各个第一数据块,将每个第一数据块的第一数据以多层存储方式搬移至空白的数据块。本发明中,数据回收模式复用为第一数据块的第一数据的搬移阶段,无需设置独立模块对第一数据块的第一数据进行搬移,当第一数据块为slc块时,在PSA模式后无需浪费时间进行slc块的数据搬移,因此PSA模式之后存储器可随时进行模式切换,可以平缓的切换到正常模式或数据回收模式,不会存在PSA模式到其他模式的切换时间过长的问题。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种存储器及其控制方法和装置
专利类型 发明授权
申请号 CN201811531358.1
申请日 2018年12月14日
公告号 CN111324281B
公开日 2024年2月6日
IPC主分类号 G06F3/06
权利人 兆易创新科技集团股份有限公司; 合肥格易集成电路有限公司
发明人 刘凯
地址 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101; 安徽省合肥市经济技术开发区清华路368号

专利主权项内容

1.一种存储器的控制方法,其特征在于,所述存储器包括存储模块,所述存储模块包括多个数据块,该控制方法包括:判断所述存储器是否处于数据回收模式,所述存储器包括高温回流焊操作之前执行的预启动系统评估模式以及所述高温回流焊操作之后执行的所述数据回收模式和正常模式,所述预启动系统评估模式进行预写操作,所述数据回收模式进行数据搬移操作,所述正常模式进行读/写操作;如果检测到所述存储器处于所述数据回收模式,查找出以单层存储方式写入第一数据的各个第一数据块,将每个所述第一数据块的第一数据以多层存储方式搬移至空白的所述数据块;同时,查找出以多层存储方式写入第二数据且所述第二数据占用的有效存储单元少于空白存储单元的各个第二数据块,将至少一个所述第二数据块的第二数据搬移至空白的所述数据块;其中,所述第一数据为在所述存储器进行所述高温回流焊操作之前写入所述存储模块的系统数据,所述第二数据为在所述存储器进行所述高温回流焊操作之后写入所述存储模块的数据。 来源:马 克 团 队