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一种基于BGA的电子器件及其制作方法
摘要文本
本发明提供一种基于BGA的电子器件及其制作方法，涉及电子技术领域。本发明提供的电子器件包括的绝缘基板上设置有多个通孔，通孔内填充有导电结构，导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，电子元件与导电结构的一端电连接，绝缘基板的一面上设置有多个导电球，导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，导电球与导电结构的另一端电连接，印刷电路板与导电球电连接；按重量百分比计，室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成。本发明的技术方案能够使基于BGA的电子器件的制作方法简单，且成本较低。 来自马-克-数-据-官网
申请人信息
- 申请人:北京梦之墨科技有限公司
- 申请人地址:100081 北京市海淀区北四环西路67号中关村国际创新大厦505
- 发明人: 北京梦之墨科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于BGA的电子器件及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810693696.9 |
| 申请日 | 2018年6月29日 |
| 公告号 | CN108566727B |
| 公开日 | 2024年3月26日 |
| IPC主分类号 | H05K1/11 |
| 权利人 | 北京梦之墨科技有限公司 |
| 发明人 | 曹宇; 郑翰; 白安洋; 于洋 |
| 地址 | 北京市海淀区北四环西路67号中关村国际创新大厦505 |
专利主权项内容
1.一种基于BGA的电子器件，其特征在于，包括：绝缘基板，所述绝缘基板上设置有多个通孔，所述通孔内填充有导电结构，所述导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；至少一个电子元件，所述电子元件与所述导电结构的一端电连接；多个导电球，所述导电球位于所述绝缘基板的一面上，且与所述导电结构的另一端电连接，所述导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；印刷电路板，所述印刷电路板与所述导电球电连接；其中，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由75 % ~ 83 %的低熔点金属，以及17 % ~ 25 %的高熔点粉末部分合金化形成；所述低熔点金属为镓铟合金，按重量百分比计，所述镓铟合金由75 % ~ 85 %镓和15 %~ 25 %铟组成；所述高熔点粉末为镍粉；所述高熔点粉末的粒径为10 nm ~ 1 μm。