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通讯隔离与电平转换电路

申请号: CN201611246852.4
申请人: 欣旺达电子股份有限公司
申请日期: 2016年12月29日

摘要文本

本发明揭示了一种通讯隔离与电平转换电路,一种通讯隔离与电平转换电路,分别与电池与主机连接,其包括第一支路与第二支路;所述第一支路包括二极管D1、上拉电阻R1、上拉电阻R3,所述第二支路包括三极管Q1、三极管Q2、上拉电阻R8、上拉电阻R10。本发明解决了不同供电电压MCU之间的通讯功能,可以防止主机出现异常时主机高压加到电池上而损坏电池。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 通讯隔离与电平转换电路
专利类型 发明授权
申请号 CN201611246852.4
申请日 2016年12月29日
公告号 CN106712764B
公开日 2024年3月22日
IPC主分类号 H03K19/0175
权利人 欣旺达电子股份有限公司
发明人 冯健; 袁唯; 李武岐; 杨亭亭
地址 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区颐和路2号综合楼

专利主权项内容

1.一种通讯隔离与电平转换电路,分别与电池与主机连接,其特征在于,其包括第一支路与第二支路;所述第一支路包括二极管D1、上拉电阻R1、上拉电阻R3,所述二极管D1的正极电连接所述电池的数据接收端,所述二极管D1的负极电连接所述主机的数据发送端,所述上拉电阻R1的一端分别与所述电池的数据接收端、二极管D1的正极连接,另一端连接3.3V电压,所述上拉电阻R3的一端分别与所述主机的数据发送端、二极管D1的负极连接,另一端连接5V电压,所述第一支路实现了所述主机的数据发送端向所述电池的数据接收端发送信号时的电平转换与电压隔离;所述第二支路包括三极管Q1、三极管Q2、上拉电阻R8、上拉电阻R10,所述三极管Q1的基极电连接所述电池的数据发送端,所述三极管Q1的集电极电连接所述三极管Q2的基极,所述三极管Q1的发射极接3.3V电压,所述三极管Q2的集电极电连接所述主机的数据接收端,所述三极管Q2的发射极电连接GND端,所述上拉电阻R8的一端分别与所述电池的数据发送端、三极管Q1的基极连接,另一端连接3.3V电压,所述上拉电阻R10的一端分别与所述主机的数据接收端、三极管Q2的集电极连接,另一端连接5V电压,所述第二支路实现了所述电池的数据发送端向所述主机的数据接收端发送信号时的电平转换与电压隔离;还设有第一下拉MOS管,所述第一下拉MOS管的漏极连接所述电池的数据发送端,源极连接GND端;还设有第二下拉MOS管,所述第二下拉MOS管的漏极连接所述主机的数据发送端,源极连接GND端;其中,所述二极管D1为硅管或锗管,所述三极管Q2为NPN型三极管。