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一种非易失性存储器的修复方法及装置
摘要文本
本发明的实施方式提供了一种非易失性存储器的修复方法及装置，方法包括：将多个存储单元中的故障存储单元映射到修复存储单元；将修复控制器电连接至修复存储单元，并在上电初始化时将固化于修复存储单元的第一数据存入第一数据区，以及将待写入修复存储单元的第二数据存入第二数据区，并将第二数据区的第二数据写回至修复存储单元。保证了从修复空间中读取的数据不会再次写回修复存储单元的数据，进一步提高了存储器的良率。
申请人信息
- 申请人:嘉楠明芯(北京)科技有限公司
- 申请人地址:100094 北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园一期27号楼C座2层206号
- 发明人: 嘉楠明芯(北京)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种非易失性存储器的修复方法及装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811148673.6 |
| 申请日 | 2018年9月29日 |
| 公告号 | CN110968455B |
| 公开日 | 2024年3月29日 |
| IPC主分类号 | G06F11/14 |
| 权利人 | 嘉楠明芯(北京)科技有限公司 |
| 发明人 | 孙兴权; 张楠赓 |
| 地址 | 北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园一期27号楼C座2层206号 |
专利主权项内容
1.一种非易失性存储器的修复方法，所述非易失性存储器至少包括具有多个存储单元的主存储阵列，其特征在于，所述多个存储单元与多个修复存储单元一一对应，所述多个修复存储单元与修复控制器包括的多个寄存器一一对应，每个寄存器包括第一数据区与第二数据区，所述修复方法包括：将所述多个存储单元中的故障存储单元映射到对应的修复存储单元；将所述修复控制器电连接至该修复存储单元，所述修复控制器在上电初始化时将固化于该修复存储单元的第一数据存入对应于该修复存储单元的寄存器的第一数据区；以及将待写入所述修复存储单元的第二数据存入该寄存器的第二数据区，并将所述第二数据区的第二数据写回至该修复存储单元。