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用于MMIC HEMT放大器的补偿器器件
摘要文本
本发明提供了一种用于偏置MMIC HEMT放大器602的栅极的补偿器器件100，所述补偿器器件100包括两个电阻器R1和R2以及与所述两个电阻器R1和R2串联连接并且位于所述两个电阻器R1和R2之间的至少两个HEMT Q1、Q2、……、QN，其中，选择所述电阻器R1和R2以及所述HEMT Q1、Q2、……、QN，使得在补偿器器件100的操作中，至少一个第一HEMT Q1的偏置点在饱和区中，至少一个第二HEMT Q2的偏置点在欧姆区中。
申请人信息
- 申请人:华为技术有限公司
- 申请人地址:518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 发明人: 华为技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于MMIC HEMT放大器的补偿器器件 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202010832291.6 |
| 申请日 | 2016年7月28日 |
| 公告号 | CN112087205B |
| 公开日 | 2024年3月1日 |
| IPC主分类号 | H03F1/30 |
| 权利人 | 华为技术有限公司 |
| 发明人 | 卢卡·皮亚宗 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
专利主权项内容
1.一种 补偿器器件(100)，其特征在于，包括：两个电阻器(R1、R2)；与所述两个电阻器(R1、R2)串联连接并且位于所述两个电阻器(R1、R2)之间的至少两个高电子迁移率晶体管HEMT(Q1、Q2)，输入端口(VS)，与每个高电子迁移率晶体管HEMT(Q1、Q2)的栅极相连接，通过所述输入端口(VS)的电压，为所述至少两个高电子迁移率晶体管HEMT(Q1、Q2)设置至少两个不同的偏置点；其中：至少一个第一高电子迁移率晶体管HEMT(Q1)的偏置点在饱和区中，至少一个第二高电子迁移率晶体管HEMT(Q2)的偏置点在欧姆区中。