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基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法

申请号: CN201810684179.5
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司; 国网信息通信产业集团有限公司; 国家电网有限公司; 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
申请日期: 2018年6月28日

摘要文本

本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括:通信总线模块,处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写;总线协议转换模块,其与所述通信总线模块进行通信,将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议;读写状态控制模块,其与所述总线协议转换模块进行通信,用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态;以及OTP接口,其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信,用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写,并能够保护OTP数据不被改写。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201810684179.5
申请日 2018年6月28日
公告号 CN108563590B
公开日 2024年2月23日
IPC主分类号 G06F13/16
权利人 北京智芯微电子科技有限公司; 国网信息通信产业集团有限公司; 国家电网有限公司; 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
发明人 冯文楠; 聂远铮; 周芝梅; 冯曦; 胡毅; 唐晓柯; 朱红; 李维
地址 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院内C座4层; 北京市西城区西长安街86号; 江苏省南京市建邺区奥体大街1号

专利主权项内容

1.一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器,对所述片上FLASH存储器的读写操作进行控制,其特征在于,该OTP控制器包括:通信总线模块,处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写;总线协议转换模块,其与所述通信总线模块进行通信,将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议;读写状态控制模块,其与所述总线协议转换模块进行通信,用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态;以及OTP接口,其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信,用于OTP数据在所述OTP控制器与所述片上FLASH存储器的存储单元之间的传输;其中,所述读写状态控制模块对来自所述通信总线模块的FLASH存储器内部访问地址与预定义的需要保护的一个或多个FLASH地址作比较,确认内部访问地址是否被保护,当该内部访问地址不是被保护地址,则该内部访问地址直接被输出到所述FLASH存储器的地址接口,当该内部访问地址为被保护地址,则对该内部访问地址做预定义变换后在输出到FLASH存储器的地址接口;其中,该OTP控制器还包括缓存模块,在进行数据擦除或编程操作前,所述读写状态控制模块根据预定义规则检查待操作的FLASH扇区内是否含有被保护数据,如扇区内有被保护的数据,则先将该扇区的被保护数据读出并缓存到所述缓存模块内,然后执行该扇区的擦除操作,再将缓存的被保护数据和来自所述通信总线模块的待写入数据依次写入到所述扇区内;其中,所述读写状态控制模块对预定义地址的需要保护的一个或多个FLASH地址中读取被保护数据的状态记录,当被保护的内部访问地址从未编程过,则产生相应的FLASH擦除指令和编程指令,并将来自通信总线模块的数据发送到FLASH存储器的数据接口;当被保护的内部访问地址已被编程过,则跳过编程操作;其中,所述通信总线模块的总线类型为AXI或AHB类型。