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一种氮氧传感器变频加热控制电路

申请号: CN201810198081.9
申请人: 北京中电伊川测控技术有限公司
申请日期: 2018年3月12日

摘要文本

本发明公开了一种氮氧传感器变频加热控制电路,所述氮氧传感器变频加热控制电路用于对氮氧传感器进行变频加热,包括氮氧传感器,所述氮氧传感器设有陶瓷芯片,还包括单片机模块、IC变压调频模块、加热接口模块,所述IC变压调频模块、加热接口模块都连接单片机模块,所述IC变压调频模块连接加热接口模块,所述加热接口模块连接陶瓷芯片。本发明通过变压调控的方式对陶瓷芯片进行加热,更加节能和环保。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种氮氧传感器变频加热控制电路
专利类型 发明授权
申请号 CN201810198081.9
申请日 2018年3月12日
公告号 CN108337745B
公开日 2024年3月5日
IPC主分类号 H05B1/02
权利人 北京中电伊川测控技术有限公司
发明人 楼夙训
地址 北京市石景山区八大处高科技园区北京京宝公司办公楼315室

专利主权项内容

1.一种氮氧传感器变频加热控制电路,所述氮氧传感器变频加热控制电路用于对氮氧传感器进行变频加热,包括氮氧传感器,所述氮氧传感器设有陶瓷芯片(3),其特征在于,还包括单片机模块(1)、IC变压调频模块(4)、加热接口模块(2),所述IC变压调频模块(4)、加热接口模块(2)都连接单片机模块(1),所述IC变压调频模块(4)连接加热接口模块(2),所述加热接口模块(2)连接陶瓷芯片(3),加热接口模块(2)包括加热接口P1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C9、电容C60、电感L1、电感L2、电阻R1、电阻R2,所述加热接口P1的7管脚都通过电容C60连接地信号GND,所述电容C9与电容C60相并联,所述加热接口P1的4管脚通过电容C5连接地信号GND,所述加热接口P1的3管脚通过电容C4连接地信号GND,所述加热接口P1的4管脚连接单片机模块(1),所述加热接口P1的3管脚连接IC变压调频模块(4),所述加热接口P1的2管脚连接地信号GND,所述加热接口P1的1管脚通过电阻R1连接电感L1的一端,所述电感L1的一端通过电容C1连接地信号GND,所述电感L1的另一端通过电阻R2连接电感L2的一端,所述电感L1的另一端通过电容C2连接地信号GND,所述电感L2的另一端通过电容C3连接地信号GND,所述电感L2的另一端连接IC变压调频模块(4),所述加热接口P1的8个管脚都连接陶瓷芯片(3),所述IC变压调频模块(4)包括IC变压调频芯片U10、电阻R45、三极管Q2、电阻R43、场效应MOS管Q1、电容C42、电阻R42、稳压二极管D8、电阻R8、电阻R6、电阻R5、电阻R41、稳压二极管D1、电容C11、二极管D4、电阻R7、稳压二极管D2、电容C12,所述电阻R45的一端连接单片机U11的3管脚,所述电阻R45的另一端连接三极管Q2的基极,所述三极管Q2的发射极连接IC变压调频芯片U10的13管脚,所述三极管Q2的集电极通过电阻R43连接场效应MOS管Q1的G极,所述场效应MOS管Q1的S极通过电容C42连接场效应MOS管Q1的G极,所述电阻R42、稳压二极管D8都与电容C42相并联,所述场效应MOS管Q1的D极通过电阻R8连接IC变压调频芯片U10的2管脚,所述IC变压调频芯片U10的2管脚连接加热接口模块(2),所述场效应MOS管Q1的D极通过电阻R6连接电阻R5的一端,所述电阻R5的一端通过电阻R41连接地信号GND,所述电阻R5的另一端连接IC变压调频芯片U10的4管脚,所述电阻R5的另一端通过稳压二极管D1连接地信号GND,所述稳压二极管D1与电容C11相并联,所述电阻R5的一端通过二极管D4连接IC变压调频芯片U10的24管脚,所述IC变压调频芯片U10的7管脚连接加热接口模块(2),所述电阻R7的一端连接单片机模块(1),所述电阻R7的另一端通过稳压二极管D2连接地信号GND,所述电阻R7的另一端连接IC变压调频芯片U10的3管脚,所述电容C12与稳压二极管D2相互并联。