← 返回列表
一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统
摘要文本
本发明公开了一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统。本方法为根据待测晶体的晶格长的变化计算得到该待测晶体的温度变化；具体而言，选取或制备一波长选择器，该波长选择器仅允许通过某一确定波长λ的光束，将一束光入射到该待测晶体表面，该波长选择器用于接收入射光束经该待测晶体表面产生的波长为λ的衍射光束，并记录衍射光束强度I；当I值发生变化时，改变该待测晶体与入射光束之间的入射角度，当接收的衍射光束强度为I时，记录角度变化量为Δθ；然后根据Δθ与该待测晶体的温度值变化关系得到温度变化。本发明既解决了强电离辐射环境下温度测量问题，同时也精确测得了强电离辐射环境下晶体表面的温度值。。 （来自 马克数据网）
申请人信息
- 申请人:中国科学院高能物理研究所
- 申请人地址:100049 北京市石景山区玉泉路19号乙
- 发明人: 中国科学院高能物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810442429.4 |
| 申请日 | 2018年5月10日 |
| 公告号 | CN108387327B |
| 公开日 | 2024年2月13日 |
| IPC主分类号 | G01K11/00 |
| 权利人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 发明人 | 杨俊亮; 张小威; 赵越; 朱晔; 李瑭 |
| 地址 | 北京市石景山区玉泉路19号乙 |
专利主权项内容
1.一种强电离辐射环境下的温度测量方法，其特征在于，将待测晶体的晶格长d的变化△d的测量转换为待测晶体角度变化△θ的测量，根据公式计算温度变化△t，其方法为：选取或制备一波长选择器，然后初步调节待测晶体，使入射光束经待测晶体衍射后出射光束的中心波长λ恰是该波长选择器仅允许通过的波长；然后将一束光入射到该待测晶体表面，将该波长选择器放置在匹配位置用于接收入射光束经该待测晶体表面产生的中心波长为λ的衍射光束，并记录此时接收的衍射光束强度I；当衍射光束强度I值发生变化时，改变该待测晶体与入射光束之间的入射角度，当接收的衍射光束强度为I时，记录角度变化量为△θ；然后根据△θ与该待测晶体的温度值变化关系得到温度变化△t；其中，α为该待测晶体的热膨胀系数，根据公式2dsinθ＝λ计算得到θ。 来源：马 克 团 队