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一种掩模板及其制备方法和曝光系统
摘要文本
本发明提供一种掩模板及其制备方法和曝光系统。该掩模板包括第一区和第二区，第一区和第二区内均设置有多个图形化掩模，且第一区内多个图形化掩模的分布密度小于第二区内多个图形化掩模的分布密度；每个图形化掩模包括第一图形、第二图形和两图形之间的狭缝，第一区内的狭缝宽度大于第二区内的狭缝宽度。该掩模板能使透过第二区内狭缝的曝光光线的强度相对于透过第一区内狭缝的曝光光线的强度减小，从而使显示区和非显示区内的晶体管在经过源漏极曝光和显影后，保留在有源区膜层上的光刻胶的厚度趋于一致，进而确保通过刻蚀工艺后非显示区晶体管的有源区不会断开，最终确保非显示区的晶体管能够正常工作。 （更多数据，详见马克数据网）
申请人信息
- 申请人:京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方显示技术有限公司
- 申请人地址:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 发明人: 京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方显示技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种掩模板及其制备方法和曝光系统 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201510591876.2 |
| 申请日 | 2015年9月16日 |
| 公告号 | CN105093807B |
| 公开日 | 2024年1月23日 |
| IPC主分类号 | G03F1/32 |
| 权利人 | 京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方显示技术有限公司 |
| 发明人 | 罗丽平; 刘会双; 胡海琛; 孙增标; 王涛; 金基用 |
| 地址 | 北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区经海一路118号 |
专利主权项内容
1.一种掩模板，包括透明基板，以及形成于透明基板表面的掩模图形；其中，所述掩模图形包括用于对应形成显示区内膜层图形的第一区和用于对应形成非显示区内膜层图形的第二区；所述第一区和所述第二区内均设置有多个图形化掩模，且所述第一区内图形化掩模的分布密度小于所述第二区内图形化掩模的分布密度；每个所述图形化掩模包括用于形成晶体管的源极的第一图形、用于形成所述晶体管的漏极的第二图形和夹设在所述第一图形和所述第二图形之间的狭缝，其特征在于，所述第一区内的所述狭缝的宽度大于所述第二区内的所述狭缝的宽度；设所述第一区内的所述狭缝的宽度为L，所述第二区内的所述狭缝的宽度为M，M＝L-L×X％，其中，0＜X＜100，且X与所述第二区和所述第一区内所述图形化掩模的分布密度差值成正比；所述第一区和所述第二区内还设置有用于对应形成布线的布线图形，位于所述第一区中的布线图形包括用于对应形成显示区内数据线的图形。