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半导体图像传感器及其形成方法
摘要文本
本申请涉及一种半导体图像传感器及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体图像传感器包含：第一衬底，其包含第一前侧及第一后侧；第一互连结构，其放置于第一衬底的第一前侧上方；第二衬底，其包含第二前侧及第二后侧；第二互连结构，其放置于第二衬底的第二前侧上方；第三衬底，其包含第三前侧及第三后侧；及第三互连结构，其放置于第三衬底的第三前侧上方。第一衬底包含多个第一感测装置，且第二衬底包含多个第二感测装置。第二衬底的第二后侧面向第一衬底的第一前侧，且第二衬底的第二前侧面向第三衬底的第三前侧。。更多数据：www.macrodatas.cn
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体图像传感器及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810926999.0 |
| 申请日 | 2018年8月15日 |
| 公告号 | CN109860213B |
| 公开日 | 2024年3月1日 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 施俊吉; 黄益民; 杨敦年 |
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号 |
专利主权项内容
1.一种半导体图像传感器，其包括：第一光感测层，其包括多个第一感测装置；第二光感测层，其包括多个第二感测装置；第一互连结构，其夹置于所述第一光感测层与所述第二光感测层之间；第二互连结构；第一逻辑装置，其介于所述第一光感测层与所述第一互连结构之间；以及第二逻辑装置，其介于所述第二光感测层与所述第二互连结构之间，其中所述第二光感测层介于所述第一逻辑装置与所述第二逻辑装置之间，并且所述第二互连结构相较于所述第二光感测层远离所述第一光感测层。