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底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法

申请号: CN202010825545.1
申请人: 启端光电股份有限公司
申请日期: 2018年4月24日

摘要文本

本发明是底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法。该底部发光型微发光二极管显示器,包含微发光二极管,设于透明基板上;导光层围绕微发光二极管,用以将微发光二极管所产生的光线控制导向透明基板;及反射层,形成于导光层上,用以反射微发光二极管所产生的光线使其向下发射,且局限微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。 数据由马 克 数 据整理

专利详细信息

项目 内容
专利名称 底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202010825545.1
申请日 2018年4月24日
公告号 CN112201669B
公开日 2024年3月19日
IPC主分类号 H01L27/15
权利人 启端光电股份有限公司
发明人 吴炳升; 吴昭文
地址 中国台湾台南市新市区紫楝路26号

专利主权项内容

1.一种底部发光型微发光二极管显示器的修补方法,其特征在于,包含 : 提供透明基板,其具有原始区域及修补区域;形成第一导电层,因而于该透明基板的原始区域之上形成选择电极,该选择电极往该修补区域延伸具有延伸电极部;设置垂直型的原始微发光二极管于该选择电极上,使得该原始微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该选择电极;全面形成第一导光层于该透明基板、该选择电极、该延伸电极部与该原始微发光二极管上;蚀刻该第一导光层以暴露出该原始微发光二极管的第二电极及该修补区域的透明基板;形成第二导电层,因而形成共电极于该原始区域的第一导光层上,以电性连接至该原始微发光二极管的第二电极,且该修补区域的暴露的透明基板的顶面也形成有该第二导电层,其中该修补区域的该延伸电极部与该第二导电层互有重叠;当该原始微发光二极管经功能测试通过,则执行以下步骤 : 全面形成第二导光层于该共电极及该第一导光层上;蚀刻该第二导光层以暴露出该共电极,并形成上电极于该第二导光层上,用以电性连接该共电极;当该原始微发光二极管经功能测试未通过,则执行以下步骤 : 设置垂直型的修补微发光二极管于该修补区域的暴露的透明基板之上的第二导电层上,使得该修补微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该暴露的透明基板之上的第二导电层;将互相重叠的该第二导电层与该延伸电极部熔接使其互相电性连接;全面形成该第二导光层于该修补微发光二极管、该原始区域的共电极及该第一导光层上;及蚀刻该第二导光层以暴露出该共电极及该修补微发光二极管的第二电极,并形成该上电极于该第二导光层上,用以电性连接该共电极及该修补微发光二极管的第二电极;其中该修补区域的暴露的透明基板相邻于该延伸电极部。