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鳍式场效晶体管装置结构的形成方法
摘要文本
本公开实施例提供一种具有虚设鳍式结构的鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。此鳍式场效晶体管装置结构包括隔离结构位于基板之上，以及第一鳍式结构延伸高于隔离结构。此鳍式场效晶体管装置结构包括第二鳍式结构埋设于隔离结构之中，以及衬层形成于第一鳍式结构的侧壁及第二鳍式结构的侧壁上。此鳍式场效晶体管装置结构包括材料层形成于第二鳍式结构之上，其中材料层与隔离结构是由不同的材料所形成。
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 鳍式场效晶体管装置结构的形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810355316.0 |
| 申请日 | 2018年4月19日 |
| 公告号 | CN109427674B |
| 公开日 | 2024年3月1日 |
| IPC主分类号 | H01L21/8234 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 蔡宗裔; 陈燕铭; 李宗霖; 叶致锴 |
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号 |
专利主权项内容
1.一种鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，包括：形成多个第一鳍式结构及多个第二鳍式结构于一基板之上；形成一衬层于所述多个第一鳍式结构及所述多个第二鳍式结构的侧壁上；形成一隔离层于所述多个第一鳍式结构、所述多个第二鳍式结构及该衬层之上；形成一光致抗蚀剂层于该隔离层之上；将该光致抗蚀剂层图案化，以形成一经过图案化的光致抗蚀剂层；通过使用该经过图案化的光致抗蚀剂层作为一掩模，移除一部分的所述多个第二鳍式结构，以形成一沟槽，其中该衬层位于该沟槽的侧壁上；以及形成一填充层于该沟槽之中，其中该填充层与该隔离层是由不同的介电材料所形成。 微信公众号马克 数据网