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用于评估半导体结构的方法
摘要文本
本申请涉及用于评估半导体结构的方法。本发明揭示用于评估具有电荷俘获层CTL的半导体结构的质量以(例如)确定所述结构是否适于用作射频装置的方法。所述评估方法的实施例可涉及在初始状态处及在其中电荷载子经产生的受激状态处测量静电参数。
申请人信息
- 申请人:环球晶圆股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市工业东二路8号
- 发明人: 环球晶圆股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于评估半导体结构的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311508431.4 |
| 申请日 | 2018年2月9日 |
| 公告号 | CN117558639A |
| 公开日 | 2024年2月13日 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 发明人 | S·科姆; I·佩都斯; 王刚; J·L·利贝特; I·拉波波特 |
| 地址 | 中国台湾新竹市工业东二路8号 |
专利主权项内容
1.一种用于评估多个半导体结构的质量的方法，所述半导体结构具有前表面及大体上平行于所述前表面的背表面且包括电荷俘获层，所述方法包括通过以下步骤评估每一半导体结构：照明所述半导体结构以在所述半导体结构中产生电荷载子；在照明所述半导体结构以在所述半导体结构中产生电荷载子期间或之后测量所述半导体结构的静电参数，所述静电参数是选自由(1)所述半导体结构的电容及(2)所述半导体结构的所述前表面与电极之间的电压电势的差组成的群组；基于所述半导体结构的经测量静电参数而评估所述半导体结构的电荷俘获效率；及仅在经确定为合适的所述半导体结构上形成射频装置。