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相变存储器结构
摘要文本
本发明实施例涉及一种相变存储器结构，其包含：底部电极；第一相变材料，其接触所述底部电极的顶面；第一开关，其位于所述第一相变材料上方；第二相变材料，其位于所述第一开关上方；及顶部电极，其位于所述第二相变材料上方。
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 相变存储器结构 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811233728.3 |
| 申请日 | 2018年10月23日 |
| 公告号 | CN110416407B |
| 公开日 | 2024年2月9日 |
| IPC主分类号 | H10B63/10 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 吴昭谊 |
| 地址 | 中国台湾新竹 |
专利主权项内容
1.一种相变存储器结构，其包括：底部电极；第一相变材料，其接触所述底部电极的顶面；第一开关，其位于所述第一相变材料上方，其中所述第一开关具有第一阈值电压；第二相变材料，其位于所述第一开关上方；顶部电极，其位于所述第二相变材料上方；及第二开关，其在所述第二相变材料与所述顶部电极之间，其中所述第二开关具有第二阈值电压，所述第一阈值电压大于所述第二阈值电压。