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半导体结构以及静电防护装置
摘要文本
本发明提供一种半导体结构以及静电防护装置。该半导体结构包括：第一P型阱、第一P型扩散区、第一N型阱、第一N型扩散区、第二P型扩散区以及第一多晶硅层。第一P型扩散区设置于第一P型阱之内，且耦接至第一电极。第一N型阱与第一P型阱相邻。第一N型扩散区设置于第一N型阱之内。第二P型扩散区设置于第一P型扩散区以及第一N型扩散区之间，且设置于第一N型阱之内。第二P型扩散区以及第一N型扩散区耦接至第二电极。第一多晶硅层设置于第一P型扩散区之上。本发明可以有效的提升静电防护的机器放电模式的保护能力。
申请人信息
- 申请人:世界先进积体电路股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹科学工业园区
- 发明人: 世界先进积体电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构以及静电防护装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810909639.X |
| 申请日 | 2018年8月10日 |
| 公告号 | CN110828426B |
| 公开日 | 2024年3月5日 |
| IPC主分类号 | H01L23/60 |
| 权利人 | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 发明人 | 林志轩; 黄绍璋; 叶家荣; 周业宁; 邱华琦 |
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一P型阱；一第一P型扩散区，设置于所述第一P型阱之内，且耦接至一第一电极；一第一N型阱，与所述第一P型阱相邻；一第一N型扩散区，设置于所述第一N型阱之内；一第二P型扩散区，设置于所述第一P型扩散区以及所述第一N型扩散区之间，且设置于所述第一N型阱之内，其中所述第二P型扩散区以及所述第一N型扩散区耦接至一第二电极，其中一静电电流自所述第一电极流至所述第二电极；以及一第一多晶硅层，设置于所述第一P型扩散区之上。