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半导体装置的封装结构及其制造方法
摘要文本
一种半导体装置的封装结构包括一第一导电层、一第二导电层、一第一晶粒、一第二晶粒、多个第一盲孔柱与一导电结构。第一导电层具有一第一表面与一第二表面，且第二导电层位于第一导电层的下方。此外，第一晶粒和第二晶粒具有相对设置的一主动面与一背面，其主动面具有多个金属衬垫，第一晶粒以其背面接置于第一导电层的第一表面，第二晶粒以其背面接置于第一导电层的第二表面。并且，第一盲孔柱设置于第二导电层与第一晶粒的对应金属衬垫之间。导电结构电性连接第一导电层与第二晶粒的对应金属衬垫。第一导电层、第二导电层、第一晶粒、第二晶粒、第一盲孔柱与导电结构包覆于一介电材料内。
申请人信息
- 申请人:恒劲科技股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹县湖口乡新兴路458之17号
- 发明人: 恒劲科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置的封装结构及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810991989.5 |
| 申请日 | 2018年8月29日 |
| 公告号 | CN110875294B |
| 公开日 | 2024年1月23日 |
| IPC主分类号 | H01L25/16 |
| 权利人 | 恒劲科技股份有限公司 |
| 发明人 | 许哲玮; 许诗滨 |
| 地址 | 中国台湾新竹县湖口乡新兴路458之17号 |
专利主权项内容
1.一种半导体装置的封装结构，其特征在于，该封装结构的每一单位包括：一第一导电层，具有相对设置的一第一表面与一第二表面，且具有预定的一线路布局图案，包括彼此电性分离的一置晶部与一线路部；一第二导电层，位于该第一导电层的第一表面下方，且具有相对设置的一第一表面与一第二表面；一第一晶粒，具有相对设置的一主动面与一背面，其主动面具有多个金属衬垫，并且该第一晶粒以其背面接置于该第一导电层的第一表面，且位于该置晶部；一第二晶粒，具有相对设置的一主动面与一背面，其主动面具有多个金属衬垫，并且该第二晶粒以其背面接置于该第一导电层的第二表面，且位于该置晶部；多个第一盲孔柱，设置于该第二导电层与该第一晶粒的对应金属衬垫之间，以传递该第一晶粒的信号；以及一导电结构，电性连接该第一导电层与该第二晶粒的对应金属衬垫，以传递该第二晶粒的信号；其中该第一导电层与该第二导电层分别具有预定的线路布局图案，并且这些第一导电层、第二导电层、第一晶粒、第二晶粒、第一盲孔柱与导电结构包覆于一介电材料内。 来自马克数据网