半导体结构及其形成方法

专利主权项内容

1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一有源区和第二有源区，位于所述半导体衬底上且由隔离部件隔开，并且所述第一有源区和所述第二有源区之间不存在第三有源区；场效应晶体管，形成在所述半导体衬底上，其中，所述场效应晶体管包括：栅叠件，设置在所述半导体衬底上且从所述第一有源区延伸至所述第二有源区；和源极和漏极，形成在所述第一有源区上且所述栅叠件介于所述源极和漏极之间；沟道，位于所述栅叠件下方、以及所述源极和所述漏极之间；以及掺杂部件，所述掺杂部件是用第一类型掺杂剂重掺杂的，所述掺杂部件形成在所述第二有源区上并且被配置为所述场效应晶体管的栅极接触件，掺杂阱，所述掺杂阱掺杂有与所述第一类型掺杂剂相反的第二类型掺杂剂，其中，所述掺杂阱从所述第一有源区连续延伸到所述第二有源区且包围位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的所述隔离部件，并且，所述掺杂阱包围所述掺杂部件，所述栅叠件包括所述第一有源区的所述掺杂阱上的第一栅极介电层和所述第二有源区的所述掺杂部件上的第二栅极介电层，其中，所述第一栅极介电层具有第一厚度，所述第二栅极介电层具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第一栅极介电层直接设置在掺杂有所述第二类型掺杂剂的所述沟道上，所述第二栅极介电层设置在掺杂有所述第一类型掺杂剂的所述掺杂部件上并且未设置在所述沟道上。