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半导体功率元件
摘要文本
本发明公开一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1‑x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1‑x2N，0<x1≤1，0≤x2≤1，且x1≠x2，其中中间层包含一碳掺杂或铁掺杂的材料。
申请人信息
- 申请人:晶元光电股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 晶元光电股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体功率元件 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811137574.8 |
| 申请日 | 2018年9月28日 |
| 公告号 | CN109585542B |
| 公开日 | 2024年4月2日 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 发明人 | 杨亚谕; 杜尚儒; 张宗正; 刘家呈 |
| 地址 | 中国台湾新竹市 |
专利主权项内容
1.一种半导体功率元件，其特征在于，包含︰基板；位于该基板上的缓冲结构；位于该缓冲结构上的背阻挡结构，其中该背阻挡结构包含第一功能层、第一背阻挡层以及中间层，该第一功能层位于该缓冲结构上，该第一背阻挡层位于该第一功能层上，以及该中间层位于该第一背阻挡层以及该第一功能层之间；位于该背阻挡结构上的通道层；位于该通道层上的阻挡层；以及第二功能层，该第二功能层形成在该第一功能层以及该缓冲结构之间，其中该第一背阻挡层的材料包含AlGaN，该第一功能层的材料包含AlGaN，0<x1≤1，0≤x2≤1，且x1≠x2，其中该中间层包含碳掺杂或铁掺杂的材料。x11-x1x21-x2。马-克-数据