半导体结构切割工艺和由此形成的结构

专利主权项内容

1.一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底上；第二鳍，位于所述衬底上，所述第一鳍和所述第二鳍均沿着纵向延伸并且沿着所述纵向对准，所述第一鳍具有第一侧壁，并且所述第二鳍具有在所述纵向上与所述第一侧壁相对的第二侧壁；第一隔离区域和第二隔离区域，所述第一鳍和所述第二鳍横向位于所述第一隔离区域和所述第二隔离区域之间，并且所述第一鳍和所述第二鳍延伸至所述第一隔离区域和所述第二隔离区域的上表面上方；以及鳍切割填充结构，至少在所述纵向上设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述鳍切割填充结构包括：绝缘衬垫，邻接所述第一鳍的所述第一侧壁和所述第二鳍的所述第二侧壁，所述绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料；和填充材料，位于所述绝缘衬垫上，其中，所述绝缘衬垫的底面低于所述第一隔离区域和所述第二隔离区域的所述上表面。