← 返回列表
半导体器件及其形成方法
摘要文本
本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，该方法包括将金属箔附接至载体，在附接金属箔之前预制该金属箔；在金属箔的远离载体的第一侧上形成导电柱；将半导体管芯附接至金属箔的第一侧；在半导体管芯和导电柱周围形成模制材料；以及在模制材料上方形成再分布结构。本发明实施例还提供一种半导体器件。
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202110685172.7 |
| 申请日 | 2018年7月20日 |
| 公告号 | CN113410144B |
| 公开日 | 2024年1月30日 |
| IPC主分类号 | H01L21/56 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 吴志伟; 施应庆; 卢思维; 林俊成; 李隆华 |
| 地址 | 中国台湾新竹市 |
专利主权项内容
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在载体的第一侧上方形成导电柱；将管芯的背侧附接至所述载体的所述第一侧；在所述管芯和所述导电柱周围的所述载体的第一侧上方形成模制材料；在所述管芯、所述导电柱和所述模制材料上方形成再分布结构；去除所述载体，其中，在去除所述载体之后，暴露所述导电柱的远离所述再分布结构的第一表面；在所述管芯的背侧上方形成散热器，其中，形成所述散热器包括：在所述管芯的背侧上形成金属膏；以及固化所述金属膏，其中，在所述固化之后，固化的金属膏变成散热器；以及将半导体封装件接合至所述导电柱的第一端，所述散热器位于所述半导体封装件和所述管芯之间，其中，所述金属膏的远离所述管芯的上表面物理接触所述半导体封装件的面向所述管芯的下表面，其中，所述半导体封装件的下表面与所述模制材料间隔开。