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具有功函数金属堆叠的装置及其制造方法
摘要文本
提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有功函数金属堆叠的装置及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810811790.X |
| 申请日 | 2018年7月23日 |
| 公告号 | CN110416291B |
| 公开日 | 2024年2月13日 |
| IPC主分类号 | H01L29/40 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 陈彦瑜; 吕玉琦; 曹志彬; 张世勳 |
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 |
专利主权项内容
1.一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法，其特征在于，包含：沉积一介电层于一基材上方；沉积一第一功函数金属层于该介电层上方；沉积一虚设层于该第一功函数金属层上方；导入一杂质至该第一功函数金属层中，包含：沉积一功函数调整层于该虚设层上方；移除该功函数调整层；于移除该功函数调整层后，移除该虚设层；以及沉积一第二功函数金属层于该第一功函数金属层上方。。