半导体元件

专利主权项内容

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：第一栅极线以及第二栅极线，沿着第一方向延伸；第三栅极线，沿着第二方向延伸并设于该第一栅极线以及该第二栅极线之间，其中该第三栅极线包含第一突出部；第四栅极线，沿着第二方向延伸并设于该第一栅极线以及该第二栅极线之间，其中该第四栅极线包含第二突出部，所述第二突出部朝向所述第一突出部突出，第一突出部与第二突出部为对称结构，第一突出部沿着第一方向延伸的第一边与第二边分别切齐第二突出部沿着第一方向延伸的第一边与第二边，且第一栅极线与第二栅极线由第三栅极线一侧沿着第一方向不间断延伸至第四栅极线另一侧；以及漏极区域，设于该第三栅极线和第四栅极线之间，其中该第三栅极线的该第一突出部以及该第四栅极线的第二突出部重叠该漏极区域；且所述第一突出部和第二突出部在第一方向上间隔开。