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进行光刻制程的方法
摘要文本
提供进行光刻制程的方法，进行光刻制程的方法包含在基底上方形成光刻胶层，并将光刻胶层的一部分曝光，以在未曝光部分之间形成曝光部分。进行光刻制程的方法还包含将光刻胶层显影以移除光刻胶层的曝光部分，使得开口形成于未曝光部分之间，并在开口中和光刻胶层的未曝光部分上方形成后处理涂布材料。进行光刻制程的方法还包含通过进行后处理制程，光刻胶层的未曝光部分的一部分与后处理涂布材料反应，以及移除后处理涂布材料。。 （更多数据，详见马克数据网）
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 进行光刻制程的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810621209.8 |
| 申请日 | 2018年6月15日 |
| 公告号 | CN109427557B |
| 公开日 | 2024年2月20日 |
| IPC主分类号 | H01L21/027 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 翁明晖; 张庆裕; 林进祥 |
| 地址 | 中国台湾新竹市 |
专利主权项内容
1.一种进行光刻制程的方法，包括 : 在一基底上方形成一光刻胶层；将该光刻胶层的一部分曝光，以在两未曝光部分之间形成一曝光部分；将该光刻胶层显影，以部分移除该光刻胶层的该曝光部分，使得一开口形成于该两未曝光部分之间，其中该曝光部分覆盖该光刻胶层的该两未曝光部分的侧壁的一第一部分，且该开口暴露出该光刻胶层的该两未曝光部分的侧壁的一第二部分，并在该光刻胶层的该两未曝光部分之间形成一聚合物层；在该开口中、该聚合物层上方和该光刻胶层的该两未曝光部分上方形成一后处理涂布材料，其中该后处理涂布材料通过该聚合物层与该基底隔开，其中该后处理涂布材料具有pKa值小于4.5的一第一官能基及为光酸产生剂或热酸产生剂的一部分的一第二官能基，且该第一官能基与该第二官能基的分子量的比值在1至100的范围中；通过进行一后处理制程，该光刻胶层的该两未曝光部分的一部分与该后处理涂布材料反应；以及移除该后处理涂布材料。