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氮化镓半导体器件及其制备方法
摘要文本
本发明涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法，所述氮化镓半导体器件包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层以及电极；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。该氮化镓半导体器件为了改善击穿电压及漏电(leakage)的特性，将多层的非掺杂氮化镓层(Un‑doped GaN)和碳掺杂氮化镓层(C‑doped GaN)交叉生长，能改善高阻抗层的品质使其能生长得更厚，可以使底部上升的位错弯曲。。百度搜索马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 申请人地址:519000 广东省珠海市唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层617房B单元
- 发明人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 氮化镓半导体器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201611180049.5 |
| 申请日 | 2016年12月19日 |
| 公告号 | CN106783950B |
| 公开日 | 2024年2月13日 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 发明人 | 李东键; 金荣善; 骆薇薇; 孙在亨 |
| 地址 | 广东省珠海市唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层617房B单元 |
专利主权项内容
1.一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层、氮化镓铝层以及电极层；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层；其中，所述非掺杂氮化镓层和所述碳掺杂氮化镓层的总层数≥10层，所述非掺杂氮化镓层的厚度为1nm-500nm，所述碳掺杂氮化镓层的厚度为1nm-500nm；所述高阻抗层的厚度为100nm-5μm；所述碳掺杂氮化镓层中碳的掺杂量为1×10/cm-1×10/cm；163203所述非有意掺杂氮化镓层包含多层的应变控制层和多层的掩蔽层，所述应变控制层的层数＞0；所述掩蔽层的层数＞0；所述缓冲层的材质为氮化镓、氮化铝或氮化镓铝；所述通道层为非有意掺杂氮化镓层；所述基板的材质为蓝宝石、氮化镓或硅。