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一种SRAM PUF集成电路
摘要文本
根据本发明的一个方面，本发明公开了一种SRAM PUF集成电路，该集成电路仅包括单一类型的晶体管，仅包括NMOS管或仅包括PMOS管。所有晶体管由同一个工艺流程加工完成，避免了电路中的晶体管由不同的加工工艺流程形成，使得依赖于加工制造过程中随机差异的PUF电路具有了更好的稳定性。。来自马-克-数-据-官网
申请人信息
- 申请人:华大恒芯科技有限公司
- 申请人地址:610212 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区和乐二街171号6栋2单元17层
- 发明人: 华大恒芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SRAM PUF集成电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811283656.3 |
| 申请日 | 2018年10月31日 |
| 公告号 | CN111125790B |
| 公开日 | 2024年2月6日 |
| IPC主分类号 | G06F21/73 |
| 权利人 | 华大恒芯科技有限公司 |
| 发明人 | 沈红伟 |
| 地址 | 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区和乐二街171号6栋2单元17层 |
专利主权项内容
1.一种SRAMPUF集成电路，其特征在于，所述SRAMPUF集成电路仅包括单一类型的晶体管；所述SRAMPUF集成电路中仅包括NMOS管；所述SRAMPUF集成电路中包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、和第八NMOS管；其中第一NMOS管的栅极、第三NMOS管的漏极、第四NMOS管的源极、第五NMOS管的栅极、第八NMOS管的栅极电连接，形成第一连接点；第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极、第七NMOS管的栅极电连接，形成第二连接点；第二NMOS管的栅极、第五NMOS管的漏极、第六NMOS管的源极电连接，形成第三连接点；第四NMOS管的栅极、第七NMOS管的漏极、第八NMOS管的源极电连接，形成第四连接点；第二NMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极、第八NMOS管的漏极连接电源；第一NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第五NMOS管的源极、第七NMOS管的源极接地。