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一种基于变容管自适应匹配技术的高效率复合晶体管管芯

申请号: CN201810816884.6
申请人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请日期: 2018年7月24日

摘要文本

本发明公开了一种基于变容管自适应匹配技术的高效率复合晶体管管芯,包括输入奇模电阻、第一欠匹配三堆叠放大网络、第二欠匹配三堆叠放大网络、输出奇模电阻、第一自适应匹配网络、第二自适应匹配网络和二级自偏分压网络。本发明所实现的复合晶体管管芯具有效率高、偏置动态范围大、最佳负载阻抗动态范围大、管芯面积小等优势。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于变容管自适应匹配技术的高效率复合晶体管管芯
专利类型 发明授权
申请号 CN201810816884.6
申请日 2018年7月24日
公告号 CN108712152B
公开日 2024年2月27日
IPC主分类号 H03F1/56
权利人 成都嘉纳海威科技有限责任公司
发明人 邬海峰; 滑育楠; 陈依军; 胡柳林; 吕继平; 童伟; 王测天
地址 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园

专利主权项内容

1.一种基于变容管自适应匹配技术的高效率复合晶体管管芯,其特征在于,包括输入奇模电阻、第一欠匹配三堆叠放大网络、第二欠匹配三堆叠放大网络、输出奇模电阻、第一自适应匹配网络、第二自适应匹配网络和二级自偏分压网络;所述第一欠匹配三堆叠放大网络的输入端为整个所述高效率复合晶体管管芯的第一输入端,其输出端为整个所述高效率复合晶体管管芯的第一输出端;所述第二欠匹配三堆叠放大网络的输入端为整个所述高效率复合晶体管管芯的第二输入端,其输出端为整个所述高效率复合晶体管管芯的第二输出端;所述输入奇模电阻分别与第一欠匹配三堆叠放大网络的输入端以及第二欠匹配三堆叠放大网络的输入端连接;所述第一欠匹配三堆叠放大网络分别与第一自适应匹配网络以及二级自偏分压网络连接,所述第二欠匹配三堆叠放大网络分别与第二自适应匹配网络以及二级自偏分压网络连接;所述输出奇模电阻分别与第一欠匹配三堆叠放大网络的输出端、第二欠匹配三堆叠放大网络的输出端、第一自适应匹配网络的输出端、第二自适应匹配网络的输出端以及二级自偏分压网络的输出端连接;所述第一欠匹配三堆叠放大网络和第二欠匹配三堆叠放大网络结构相同;所述第一欠匹配三堆叠放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md、中间层晶体管Md以及底层晶体管Md;321所述底层晶体管Md的源极接地,其栅极为第一欠匹配三堆叠放大网络的输入端;1所述中间层晶体管Md的栅极分别与电阻R的一端以及电阻R的一端连接,所述电阻R的另一端与二级自偏分压网络连接,所述电阻R的另一端通过电容C与第一自适应匹配网络连接;223231所述顶层晶体管Md的漏极为第一欠匹配三堆叠放大网络的输出端,其栅极分别与电阻R的一端以及电阻R的一端连接,所述电阻R的另一端与二级自偏分压网络连接,所述电阻R的另一端通过电容C与第一自适应匹配网络连接;345452所述底层晶体管Md的漏极和中间层晶体管Md的源极之间通过微带线TL连接,所述中间层晶体管Md的源极与微带线TL的连接节点还与开路微带线TL连接;所述中间层晶体管Md的漏极和顶层晶体管Md的源极之间通过微带线TL连接,所述顶层晶体管Md的源极与微带线TL的连接节点还与开路微带线TL连接;121212233334所述第二欠匹配三堆叠放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md、中间层晶体管Md以及底层晶体管Md;654所述底层晶体管Md的源极接地,其栅极为第二欠匹配三堆叠放大网络的输入端;4所述中间层晶体管Md的栅极分别与电阻R的一端以及电阻R的一端连接,所述电阻R的另一端与二级自偏分压网络连接,所述电阻R的另一端通过电容C与第二自适应匹配网络连接;567673所述顶层晶体管Md的漏极为第二欠匹配三堆叠放大网络的输出端,其栅极分别与电阻R的一端以及电阻R的一端连接,所述电阻R的另一端与二级自偏分压网络连接,所述电阻R的另一端通过电容C与第二自适应匹配网络连接;689894所述底层晶体管Md的漏极和中间层晶体管Md的源极之间通过微带线TL连接,所述中间层晶体管Md的源极与微带线TL的连接节点还与开路微带线TL连接;所述中间层晶体管Md的漏极和顶层晶体管Md的源极之间通过微带线TL连接,所述顶层晶体管Md的源极与微带线TL的连接节点还与开路微带线TL连接;455556567678所述第一自适应匹配网络和第二自适应匹配网络结构相同;所述第一自适应匹配网络包括二极管D和二极管D,所述二极管D的正极与电阻R的一端连接并接地,其负极分别与电阻R的一端以及电容C连接,所述电阻R的另一端和电阻R的另一端均与电阻R的一端连接;所述二极管D的正极与电阻R的一端连接并接地,其负极分别与电阻R的一端以及电容C连接,所述电阻R的另一端和电阻R的另一端均与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端与电阻R的另一端连接并作为第一自适应匹配网络的输出端;121201911920212232222223242124所述第二自适应匹配网络包括二极管D和二极管D,所述二极管D的正极与电阻R的一端连接并接地,其负极分别与电阻R的一端以及电容C连接,所述电阻R的另一端和电阻R的另一端均与电阻R的一端连接;所述二极管D的正极与电阻R的一端连接并接地,其负极分别与电阻R的一端以及电容C连接,所述电阻R的另一端和电阻R的另一端均与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端与电阻R的另一端连接并作为第二自适应匹配网络的输出端;343262532526274282942829302730所述二级自偏分压网络包括依次串联的电阻R、电阻R和接地电阻R,所述电阻R未连接电阻R的一端为二级自偏分压网络的输出端;1613101613所述电阻R和接地电阻R的连接节点还分别与电阻R的一端以及电阻R的一端连接,所述电阻R的另一端与电阻R连接,所述电阻R的另一端与电阻R连接;13101112112126所述电阻R和电阻R的连接节点还分别与电阻R的一端以及电阻R的一端连接,所述电阻R的另一端与电阻R连接,所述电阻R的另一端与电阻R连接。13161415144158