一种基于波形控制技术的连续逆F类堆叠功率放大器

专利主权项内容

1.一种基于波形控制技术的连续逆F类堆叠功率放大器，其特征在于，包括输入基波匹配稳定网络、栅源补偿型二堆叠自偏置功率放大网络、连续逆F类输出匹配网络、栅极供电偏置网络和漏极供电偏置网络；所述输入基波匹配稳定网络的输入端为整个所述连续逆F类堆叠功率放大器的输入端，其输出端与栅源补偿型二堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接；所述连续逆F类输出匹配网络的输出端为整个所述连续逆F类堆叠功率放大器的输出端，其输入端与栅源补偿型二堆叠自偏置功率放大网络的输出端连接；所述栅极供电偏置网络与输入基波匹配稳定网络连接，所述漏极供电偏置网络分别与栅源补偿型二堆叠自偏置功率放大网络以及连续逆F类输出匹配网络连接；所述输入基波匹配稳定网络包括依次串联的隔直电容C、微带线TL、微带线TL和RC抑制电路；114所述隔直电容C的一端连接微带线TL，其另一端为输入基波匹配稳定网络的输入端，所述RC抑制电路的一端连接微带线TL，其另一端为输入基波匹配稳定网络的输出端；114所述微带线TL和微带线TL的连接节点还分别与开路微带线TL以及开路微带线TL连接，所述微带线TL和RC抑制电路的连接节点还与栅极供电偏置网络连接；14234所述RC抑制电路包括并联的电阻R和电容C；23所述栅源补偿型二堆叠自偏置功率放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md和底层晶体管Md；21所述底层晶体管Md的源极接地，其栅极与微带线TL的一端连接，所述微带线TL的另一端为栅源补偿型二堆叠自偏置功率放大网络的输入端；166所述顶层晶体管Md的栅极与电阻R的一端连接，其漏极为栅源补偿型二堆叠自偏置功率放大网络的输出端，所述电阻R的另一端分别与电阻R的一端以及接地电容C连接，所述电阻R的另一端分别与电阻R的一端以及接地电阻R连接，所述电阻R的另一端与漏极供电偏置网络连接；233666454所述顶层晶体管Md的栅极和源极之间串联有电容C和电感L；251所述顶层晶体管Md的源极和底层晶体管Md的漏极通过微带线TL连接，所述顶层晶体管Md的源极和微带线TL的连接节点还与微带线TL的一端连接，所述微带线TL的另一端与接地电容C连接；21727884所述连续逆F类输出匹配网络包括依次串联的微带线TL、微带线TL、微带线TL、微带线TL和隔直电容C；91315178所述微带线TL的一端连接微带线TL，其另一端为连续逆F类输出匹配网络的输入端，所述隔直电容C的一端连接微带线TL，其另一端为连续逆F类输出匹配网络的输出端；913817所述微带线TL和微带线TL的连接节点还分别与微带线TL的一端以及漏极供电偏置网络连接，所述微带线TL的另一端分别与开路微带线TL以及开路微带线TL连接；91310101112所述微带线TL和微带线TL的连接节点还与开路微带线TL连接，所述微带线TL和微带线TL的连接节点还与开路微带线TL连接。131514151716