一种基准电压产生电路
摘要文本
本发明公开了一种基准电压产生电路, 包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9。本发明基于具有负温度系数的MOS管阈值电压和正温度系数的热电压来设计电路，提供一种基准电压产生电路，电路结构全部由MOS晶体管构成，没有使用三极管和电阻，符合标准CMOS工艺，相比与带隙基准设计，降低了体积和功耗，同时，本发明在节省了一路电流镜支路的前提下进行温度系数补偿和基准电压输出，仅需要三路电流镜支路即可构建基准电压产生电路，进一步降低了基准电压产生电路的功耗。
申请人信息
- 申请人:芯蓉光科(成都)信息技术有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市锦尚西二路494号1层
- 发明人: 芯蓉光科(成都)信息技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基准电压产生电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810259557.5 |
| 申请日 | 2018年3月27日 |
| 公告号 | CN108181968B |
| 公开日 | 2024年3月19日 |
| IPC主分类号 | G05F3/26 |
| 权利人 | 芯蓉光科(成都)信息技术有限公司 |
| 发明人 | 李杰; 付强 |
| 地址 | 四川省成都市锦尚西二路494号1层 |
专利主权项内容
1.一种基准电压产生电路，其特征在于：包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9；所述第七MOS管M7的源级连接电源电压，第七MOS管M7的漏级与第一MOS管M1的漏级连接，所述第七MOS管M7的栅极与第八MOS管M8的栅极连接；所述第八MOS管M8的源级连接电源电压，第八MOS管M8的漏级与第二MOS管M2的漏级连接，所述第八MOS管M8的栅极还与第八MOS管M8的漏级连接；所述第九MOS管M9的源级连接电源电压，第九MOS管M9的漏级与第三MOS管M3的漏级连接，所述第九MOS管M9的栅极与第八MOS管M8的漏级连接；所述第一MOS管M1的栅极与第二MOS管M2的栅极连接，所述第一MOS管M1的栅极还与第一MOS管M1的漏级连接，第一MOS管M1的源级与第六MOS管M6的漏级连接，所述第一MOS管M1的漏级还连接基准电压产生电路的输出端；所述第二MOS管M2的源级与第四MOS管M4的漏级连接；所述第三MOS管M3的源级接地，第三MOS管M3的栅极与第四MOS管M4的栅极连接，所述第三MOS管M3的栅极还与第三MOS管M3的漏级连接；所述第四MOS管的源级与第五MOS管的漏级连接；所述第五MOS管M5的源级接地，第五MOS管M5的栅极与第三MOS管M3的栅极连接，所述第六MOS管M6的源级接地，第六MOS管的栅极与第三MOS管M3的栅极连接；所述第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6均为NMOS管；所述的第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均为PMOS管；所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均包括衬底；其中，第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9的衬底连接电源电压；第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6的衬底接地。 来源：百度搜索马克数据网