一种温度补偿压控振荡器及补偿方法
摘要文本
本发明公开一种温度补偿压控振荡器,包括LC压控振荡器、数字温度传感器、片外微处理器、频率数字校准单元和幅度数字校准单元;数字温度传感器:用于实时检测LC压控振荡器工作环境温度并将检测到的温度信号传送给片外微处理器;片外微处理器:用于接收数字温度传感器传送的信号并处理,然后将处理后的信号传送给频率数字校准单元和幅度数字校准单元;频率数字校准单元:用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对LC压控振荡器作出频率补偿动作;幅度数字校准单元:用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对LC压控振荡器作出幅度补偿动作。本发明通过采用数字校准的方法实现压控振荡器的频率和幅度校准,不存在闭环稳定性的问题,稳定可靠。 来自马克数据网
申请人信息
- 申请人:成都中宇微芯科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市高新区天顺路144号1层
- 发明人: 成都中宇微芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种温度补偿压控振荡器及补偿方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810457272.2 |
| 申请日 | 2018年5月14日 |
| 公告号 | CN108649902B |
| 公开日 | 2024年1月23日 |
| IPC主分类号 | H03B5/04 |
| 权利人 | 成都中宇微芯科技有限公司 |
| 发明人 | 周自波 |
| 地址 | 四川省成都市高新区天顺路144号1层 |
专利主权项内容
1.一种温度补偿压控振荡器,包括LC压控振荡器,其特征在于,还包括数字温度传感器、片外微处理器、频率数字校准单元和幅度数字校准单元;数字温度传感器:用于实时检测所述LC压控振荡器工作环境温度并将检测到的温度信号传送给片外微处理器;片外微处理器:用于接收数字温度传感器传送的温度信号并处理,然后将处理后的信号传送给频率数字校准单元和幅度数字校准单元;频率数字校准单元:用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对所述LC压控振荡器作出频率补偿动作;幅度数字校准单元:用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对所述LC压控振荡器作出幅度补偿动作;所述片外微处理器内植入有LC压控振荡器工作在不同控制电压下不同温度值时对应的频率补偿码和幅度补偿码,当片外微处理器接收到数字温度传感器传送的温度信号后,查询该温度对应的频率补偿码和幅度补偿码并向频率数字校准单元和幅度数字校准单元发送相应的控制信号;其中,所述LC压控振荡器的电路结构包括:负阻管:所述负阻管包括第一MOS管M1和第二MOS管M2,所述第一MOS管M1的栅极与所述第二MOS管M2的漏极连接,所述第二MOS管M2的栅极与所述第一MOS管M1的漏极连接,所述第一MOS管M1的源极与所述第二MOS管M2的源极短接;LC谐振腔:所述谐振腔包括并联的可变电容器和电感器L,所述可变电容器包括两个串联的第一电容C1,所述电感器L的两端分别与所述第一MOS管M1的漏极和所述第二MOS管M2的漏极连接,所述电感器L设置有抽头,所述抽头作为所述温度补偿压控振荡器的电压输入端,所述电感器L的两端作为所述温度补偿压控振荡器的信号幅度输出端,所述可变电容器中两个第一电容C1的公共端作为所述温度补偿压控振荡器的信号频率输出端;基准电流源:所述基准电流源包括第三MOS管M3和第四MOS管M4,所述第三MOS管M3的源极与第四MOS管M4的源极连接后接地,所述第三MOS管M3的栅极通过第二开关与第四MOS管M4的栅极连接,所述第三MOS管M3的漏极与所述第一MOS管M1的源极连接,所述第四MOS管M4的源极作为所述基准电流源的电流输入端;所述频率数字校准单元包括m条并联的频率数字校准电路,每条所述频率数字校准电路包括一个或多个串联的电容,所述每条频率数字校准电路中还串联有一个第一开关,所述每条频率数字校准电路的两端与所述电感器L的两端连接,其中,所述每条频率数字校准电路的第二开关根据从片外微处理器接收到的信号闭合或断开;所述幅度数字校准单元包括n条并联的幅度数字校准电路,所述每条幅度数字校准电路包括一个MOS管和一个第二开关,所述每条幅度数字校准电路的MOS管的漏极和源极分别与所述第三MOS管M3的漏极和源极连接,所述每条幅度数字校准电路的MOS管的栅极通过第二开关与所述第四MOS管M4的栅极连接,其中,所述每条幅度数字校准电路的第二开关根据从片外微处理器接收到的信号闭合或断开。