中子治疗装置

专利主权项内容

1.一种中子治疗装置，其特征在于，所述中子治疗装置包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体，所述中子产生部经离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子能区内的中子强度，所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射，所述中子治疗装置具有对被照射体进行照射的照射空间，所述射束整形体连接有用于屏蔽自射束整形体渗漏出的辐射线的屏蔽体，所述中子治疗装置还包括支撑架，所述射束整形体固持于支撑架上，所述屏蔽体包括至少两个能够沿射束整形体的运动方向伸展或收缩的屏蔽件，所述屏蔽件位于射束整形体的两侧，每个屏蔽件的一端连接于所述支撑架另一端固持于所述射束整形体，所述屏蔽体连接于所述射束整形体两侧且形成所述照射空间，所述屏蔽体能够随着射束整形体的运动遮覆于所述照射空间对所述照射空间进行屏蔽。