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中子治疗装置

申请号: CN201610517978.4
申请人: 南京中硼联康医疗科技有限公司
申请日期: 2016年7月4日

摘要文本

本发明公开了一种中子治疗装置,包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器,所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体,所述中子产生部经离子束照射后产生中子,所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至预设能谱,所述反射体将偏离的中子导回以提高预设能谱内的中子强度,所述管束具有轴线,所述射束整形体能够绕管束的轴线转动而对被照射体进行不同角度的照射。通过支撑架、射束整形体以及偏转磁铁的设置使整个中子治疗装置只需旋转自身结构便能实现整个中子治疗装置进行不同角度的照射,结构简单,运转轻便,易于实现。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 中子治疗装置
专利类型 发明授权
申请号 CN201610517978.4
申请日 2016年7月4日
公告号 CN107569779B
公开日 2024年3月22日
IPC主分类号 A61N5/10
权利人 南京中硼联康医疗科技有限公司
发明人 刘渊豪
地址 江苏省南京市江宁区江宁科学园龙眠大道568号

专利主权项内容

1.一种中子治疗装置,其特征在于,所述中子治疗装置包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器,所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体,所述中子产生部经离子束照射后产生中子,所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至预设能谱,所述反射体将偏离的中子导回以提高预设能谱内的中子强度,所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射,所述中子治疗装置具有对被照射体进行照射的照射空间,所述管束具有轴线,所述管束包括固定于加速器的第一管束、固定于中子产生部的第三管束以及连接于第一管束和第三管束之间的第二管束,所述轴线包括第一管束的第一轴线和第二管束的第二轴线,所述射束整形体绕第一管束的第一轴线或者第二管束的第二轴线转动从而对照射空间中的被照射体进行不同角度的照射,所述中子治疗装置还包括位于第二管束和第三管束之间的第二偏转磁铁,以及用于支撑所述射束整形体的支撑架,所述支撑架包括第一支撑部和第二支撑部, 所述第一支撑部上设置有第一轨道, 所述射束整形体固持于所述第一轨道,所述射束整形体绕第一管束的第一轴线或者第二管束的第二轴线转动的同时也在所述第一轨道中运动, 所述第二支撑部设有第二轨道,当射束整形体在第一轨道中运动时,所述第二偏转磁铁在第二轨道中运动。 马-克-数据