基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器及加工方法

专利主权项内容

1.一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器，包括水平设置的基板，基板中心设有圆形通孔，所述圆形通孔内设有铁氧体基片，铁氧体基片上方设有永磁体，基板上表面设有由金属图形构成的表面微带电路、以及贯穿基板用以形成信号传输通道金属壁的数个金属化通孔，所述金属化通孔形成三个电磁波信号传输通道，基板三个边沿处各设有一输出端口，所述输出端口分别位于三个电磁波信号传输通道中，其特征在于：所述铁氧体基片下表面与基板下表面平齐，厚度小于基板厚度，铁氧体基片上表面设有一形状与之相同的金属盖板，所述金属盖板上表面与基板上表面平齐，并与表面微带电路连通，所述永磁体下表面与金属盖板上表面固定连接；所述基板采用陶瓷材料制成，上表面沿圆形通孔的径向设有三个金属化槽孔，所述金属化槽孔分别位于三个电磁波信号传输通道中，且一端与金属盖板焊接；所述金属化槽孔、旋磁铁氧体基片和表面微带电路整体与电磁波阻抗匹配，所述基板下表面设有匀磁板；铁氧体基片上表面通过金属盖板接地。