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上下复合式结构微带环行器
摘要文本
本发明公开了一种上下复合式结构微带环行器，属于微波元器件领域，从上至下依次包括永磁体(5)、介质片(4)和底板(2)，其特征在于：所述介质片(4)和底板(2)之间设置有低磁矩铁氧体基板(10)，所述低磁矩铁氧体基板(10)上表面设置微带电路(3)，所述底板(2)上嵌设有高磁矩铁氧体基板(11)，所述高磁矩铁氧体基板(11)与低磁矩铁氧体基板(10)相邻；本发明有效的降低了高磁矩铁氧体材料不饱和磁化带来的低场损耗，提高了微带环行器的归一化磁矩P，拓展了环行器的工作带宽，工作带宽为7GHz‑13GHz，传输损耗≤0.4 dB，端口驻波≤1.4，隔离≥15。
申请人信息
- 申请人:西南应用磁学研究所
- 申请人地址:621000 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 发明人: 西南应用磁学研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 上下复合式结构微带环行器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810093628.9 |
| 申请日 | 2018年1月31日 |
| 公告号 | CN108306085B |
| 公开日 | 2024年1月16日 |
| IPC主分类号 | H01P1/387 |
| 权利人 | 西南应用磁学研究所 |
| 发明人 | 蒋运石; 闫欢; 韩晓川; 胡艺缤 |
| 地址 | 四川省绵阳市滨河北路西段268号 |
专利主权项内容
1.一种上下复合式结构微带环行器，从上至下依次包括永磁体(5)、介质片(4)和底板(2)，其特征在于：所述介质片(4)和底板(2)之间设置有低磁矩铁氧体基板(10)，所述低磁矩铁氧体基板(10)上表面设置微带电路(3)，所述底板(2)上嵌设有高磁矩圆形铁氧体基板(11)，所述高磁矩圆形铁氧体基板(11)与低磁矩铁氧体基板(10)相邻；其中，所述低磁矩铁氧体基板(10)的饱和磁化强度为1800Gauss，所述高磁矩圆形铁氧体基板(11)的饱和磁化强度为2500Gauss。