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简化的MEMS装置制造工序
摘要文本
本发明提供了一种制造MEMS装置的方法，包括：蚀刻到衬底晶片材料中以在衬底晶片中形成多个孔；以及通过多个孔蚀刻衬底晶片材料，其中通过多个孔的蚀刻所述衬底晶片材料去除MEMS装置下方的衬底晶片材料。通过本发明，减少了与MEMS装置制造相关联的成本。
申请人信息
- 申请人:麦斯卓微电子(南京)有限公司
- 申请人地址:211806 江苏省南京市浦口区桥林街道步月路9号-50
- 发明人: 麦斯卓微电子(南京)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 简化的MEMS装置制造工序 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202310651515.7 |
| 申请日 | 2016年9月29日 |
| 公告号 | CN117658055A |
| 公开日 | 2024年3月8日 |
| IPC主分类号 | B81C1/00 |
| 权利人 | 麦斯卓微电子(南京)有限公司 |
| 发明人 | 罗曼·古铁雷斯; 托尼·唐; 刘晓磊; 马修·恩格; 王桂芹 |
| 地址 | 江苏省南京市浦口区桥林街道步月路9号-50 |
专利主权项内容
1.一种制造MEMS装置的方法，包括：蚀刻到衬底晶片材料中以在衬底晶片中形成多个孔；以及通过所述多个孔蚀刻所述衬底晶片材料，其中通过所述多个孔的所述蚀刻所述衬底晶片材料去除所述MEMS装置下方的所述衬底晶片材料。