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一种半槽式天线型芯片-波导传输过渡结构

申请号: CN201810285833.5
申请人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日期: 2018年4月3日

摘要文本

本发明公开了一种半槽式天线型的芯片‑波导传输过渡结构,包括天线和基板,所述天线用于与基板衔接的一边依次设置有集成端、耦合腔区域和耦合缝,天线通过集成端与基板连接集成呈一体,耦合腔区域紧邻集成端,耦合腔区域的开口朝向基片,耦合缝紧邻耦合腔区域,耦合缝是天线边缘与基板边缘之间的一细长缝隙槽口,耦合腔区域和耦合缝整体形成一开口槽状的耦合结构;本发明极大缩短芯片到波导的距离,并且省去了复杂的探针电路加工及装配工序,这样减少了基片加工和微组装探针时可能带来的误差,从而可以减小能量过渡时的传输损耗,特别适用于高频段。。数据由马 克 团 队整理

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种半槽式天线型芯片-波导传输过渡结构
专利类型 发明授权
申请号 CN201810285833.5
申请日 2018年4月3日
公告号 CN108321479B
公开日 2024年2月23日
IPC主分类号 H01P3/00
权利人 中国工程物理研究院电子工程研究所
发明人 黄昆; 蒋均; 郝海龙; 田遥岭; 陆彬; 何月; 成彬彬; 邓贤进
地址 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

专利主权项内容

1.一种半槽式天线型的芯片-波导传输过渡结构,其特征在于:包括天线和基板,所述天线用于与基板衔接的一边依次设置有集成端、耦合腔区域和耦合缝,天线通过集成端与基板连接集成呈一体,耦合腔区域紧邻集成端,耦合区域的开口朝向基片,耦合缝紧邻耦合腔区域,耦合缝是天线边缘与基板边缘之间的一细长缝隙槽口,耦合腔区域和耦合缝整体形成一开口槽状的耦合结构;安装芯片时,将芯片安装于基板的上方,芯片的输入输出端通过金线跨过耦合缝连接到天线上,从而使得电磁能量通过金线和耦合缝耦合能量,将能量传播到波导之中;所述天线的形状是鳍线型,或者是三角形,或者是半圆形,或者是矩形;所述耦合腔区域的形状是半圆形,或方形,或矩形,或三角形;所述耦合缝是细长的矩形缝隙状。