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顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备
摘要文本
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；所述谐振器在顶电极的电极连接部的位置设置有延伸结构，所述延伸结构包括在沿谐振器的厚度方向的投影上处于所述有效区域的边缘与所述底电极的边缘之间的主延伸部。本发明还涉及一种具有上述谐振器的滤波器，以及具有该滤波器或者谐振器的电子设备。
申请人信息
- 申请人:天津大学; 诺思(天津)微系统有限责任公司
- 申请人地址:300072 天津市南开区卫津路92号
- 发明人: 天津大学; 诺思(天津)微系统有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811601684.5 |
| 申请日 | 2018年12月26日 |
| 公告号 | CN111371425B |
| 公开日 | 2024年1月26日 |
| IPC主分类号 | H03H9/02 |
| 权利人 | 天津大学; 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
| 发明人 | 杨清瑞; 庞慰; 张孟伦 |
| 地址 | 天津市南开区卫津路92号; 天津市滨海新区天津开发区西区新业五街27号 |
专利主权项内容
1.一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；所述谐振器在顶电极的电极连接部的位置设置有延伸结构，所述延伸结构包括在沿谐振器的厚度方向的投影上处于所述有效区域的边缘与所述底电极的边缘之间的主延伸部，所述延伸结构并非钝化层的一部分，也非顶电极的电极连接部的一部分，所述钝化层适于设置在顶电极上方，且所述主延伸部与下方相邻的层结构之间不存在空隙。 马 克 数 据 网