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复合衬底及其制备方法、及外延片
摘要文本
本发明涉及一种复合衬底,其包括硅衬底层以及用于生长外延层的蓝宝石衬底层;所述蓝宝石衬底层键合在所述硅衬底层上。上述复合衬底,由蓝宝石衬底层与硅衬底层采用键合工艺成为一体,该复合衬底,可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层),从而可以制造出性能优异的电力器件,同时该复合衬底的硅衬底层,可以满足大尺寸主流生产线的需求,与现有的硅衬底工艺兼容;从而可以有效降低电力器件的成本较低。本发明还公开了一种复合衬底的制备方法及外延片。
申请人信息
- 申请人:苏州爱彼光电材料有限公司
- 申请人地址:215215 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
- 发明人: 苏州爱彼光电材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 复合衬底及其制备方法、及外延片 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201611131406.9 |
| 申请日 | 2016年12月9日 |
| 公告号 | CN106505095B |
| 公开日 | 2024年1月5日 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 苏州爱彼光电材料有限公司 |
| 发明人 | 林岳明 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号 |
专利主权项内容
1.一种外延片,其特征在于:包括复合衬底以及生长在所述复合衬底上的外延层;所述复合衬底,包括:硅衬底层;蓝宝石衬底层,用于生长外延层;以及生长在所述蓝宝石衬底层上的硅膜;所述蓝宝石衬底层通过所述硅膜键合在所述硅衬底层上;所述蓝宝石衬底层的厚度为20μm,所述硅膜的厚度为1~5μm;所述硅衬底层为直径6英寸、厚度1300μm的硅晶圆;所述外延层为氮化镓层,所述氮化镓层的厚度为400nm~600nm。