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半导体元件及其制造方法
摘要文本
本发明提出一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括：提供基板；于基板上形成半导体堆叠结构；于半导体堆叠结构上形成堆叠覆盖层的至少一部分，其中堆叠覆盖层的至少一部分包括氮化层；移除氮化层的一部分；完成堆叠覆盖层的所有部分；于堆叠覆盖层上形成保护层，并蚀刻保护层，以形成至少一开孔，其中氮化层未被开孔所暴露；以及从开孔通入一蚀刻材料，以蚀刻基板。本发明另提出一种采用上述方法形成的半导体元件。
申请人信息
- 申请人:原相科技股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹
- 发明人: 原相科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体元件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201910433747.9 |
| 申请日 | 2015年6月16日 |
| 公告号 | CN110120340B |
| 公开日 | 2024年1月5日 |
| IPC主分类号 | H01L21/306 |
| 权利人 | 原相科技股份有限公司 |
| 发明人 | 孙志铭; 徐新惠; 蔡明翰 |
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
专利主权项内容
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板上形成一半导体堆叠结构；于该半导体堆叠结构上形成一第一覆盖氧化层；形成一氮化层于该第一覆盖氧化层上以形成一堆叠覆盖层的至少一部分，其中该堆叠覆盖层的该至少一部分包括该氮化层；移除该氮化层位于该半导体堆叠结构两侧向外延伸的部分；形成一第二覆盖氧化层于该氮化层的剩余部分之上以完成该堆叠覆盖层的所有部分；于该堆叠覆盖层上形成一保护层，并以非等向性蚀刻该保护层，以形成暴露部分该半导体堆叠结构的至少一开孔，其中该氮化层未被该开孔所暴露；以及从该开孔通入一蚀刻材料，以等向性蚀刻该基板。