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用于对半导体结构执行外延平滑工艺的系统和方法
摘要文本
提供了用于处理半导体结构的系统和方法。所述方法一般地包括确定用于半导体结构的器件层的期望去除图形轮廓，基于所述期望去除图形轮廓确定用在外延平滑工艺中的工艺参数组，以及通过对所述器件层的外表面执行外延平滑工艺而选择性地从所述器件层去除材料。 马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:环球晶圆股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号
- 发明人: 环球晶圆股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于对半导体结构执行外延平滑工艺的系统和方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202011318052.5 |
| 申请日 | 2015年12月18日 |
| 公告号 | CN112420509B |
| 公开日 | 2024年3月19日 |
| IPC主分类号 | H01L21/3065 |
| 权利人 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 发明人 | C·R·洛特 |
| 地址 | 中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号 |
专利主权项内容
1.一种用于处理半导体结构的系统，所述半导体结构包括限定所述半导体结构的外表面的半导体器件层，所述系统包括：被配置为测量所述器件层的厚度轮廓的晶片测量装置；晶片处理装置；被以通信的方式连接到所述厚度测量装置的计算装置，所述计算装置被配置为：基于所述器件层的所述厚度轮廓确定所述半导体结构的所述器件层的期望去除图形轮廓；以及基于所述期望去除图形轮廓确定用在气态蚀刻剂外延平滑工艺中的工艺参数组；以及被以通信的方式连接到所述计算装置的去除图形轮廓库，所述去除图形轮廓库包括多个预定去除图形轮廓和多个预定工艺参数组，每个预定去除图形轮廓与所述预定工艺参数组中的一者相关联；其中，所述计算装置通过基于所述期望去除图形轮廓从多个预定工艺参数组中选择所述工艺参数组来确定所述工艺参数组；以及其中，所述晶片处理装置被配置为通过使用所述确定的工艺参数组对所述外表面执行气态蚀刻剂外延平滑工艺而根据所述去除图形轮廓选择性地从所述器件层去除材料。 来源：马 克 数 据 网