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基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管
摘要文本
本发明涉及一种基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管(SIT), 包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3～0.7um，掺杂浓度为5×1014～1×1015cm‑3，隐埋层厚度为0.4～0.6um。本发明的器件能够在保持结构、材料以及工艺等互相影响的制造参数不变的情况下，通过改变独立的参数，来调控SIT的电学参数从而调控SIT的输出特性，从而制备出性能优良的SIT。
申请人信息
- 申请人:兰州大学
- 申请人地址:730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号
- 发明人: 兰州大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201610847814.8 |
| 申请日 | 2016年9月23日 |
| 公告号 | CN106449745B |
| 公开日 | 2024年1月12日 |
| IPC主分类号 | H01L29/772 |
| 权利人 | 兰州大学 |
| 发明人 | 杨建红; 王欣; 陈健; 肖彤; 王娇; 乔坚栗 |
| 地址 | 甘肃省兰州市城关区天水南路222号 |
专利主权项内容
1.一种电流可控型静电感应晶体管，包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层，其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3~0.7um，掺杂浓度为5×10~1×10cm，隐埋层厚度为0.4~0.6um，且引入的隐埋层适用于P沟道SIT；1415-3所述隐埋层位于四个栅区下方，且位于四个栅区下方的隐埋层连为一个整体；采用硅切片作为SIT的低阻单晶衬底材料，厚度为30~40um，掺杂浓度为1×10~1×10cm；在该衬底片上生长一层厚度为20~26um，掺杂浓度为5×10~1×10cm的微掺杂高阻外延层；在高阻外延层上制作SIT的有源区，有源区沟道长度2~3um，栅区掺杂浓度为1×10~1×10cm，源区掺杂浓度也为1×10~1×10cm。1819-31213-31819-31819-3