← 返回列表

一种用于冷却介质以及半导体激光器的制冷方法及系统

申请号: CN201611248122.8
申请人: 西安炬光科技股份有限公司
申请日期: 2016年12月29日

摘要文本

本发明提供一种用于冷却介质以及半导体激光器的制冷方法及系统,所述冷却介质用于为半导体激光器制冷,所述方法包括:预先将制冷物质注入储气装置,将冷却介质注入储液装置;将所述储气装置中的制冷物质导入所述储液装置中,利用制冷物质的相变潜热,将所述冷却介质进行冷却。基于本发明提供的用于冷却介质及半导体激光器的制冷方法及系统,能够有效地提高制冷效率,无需电力驱动,节省能源,并且结构紧凑、重量轻、体积小,具有较高的可靠性。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于冷却介质以及半导体激光器的制冷方法及系统
专利类型 发明授权
申请号 CN201611248122.8
申请日 2016年12月29日
公告号 CN106532428B
公开日 2024年2月9日
IPC主分类号 H01S5/024
权利人 西安炬光科技股份有限公司
发明人 宋涛; 张宏友; 高雷; 孙尧; 刘兴胜
地址 陕西省西安市高新区丈八六路56号陕西省高功率半导体激光器产业园

专利主权项内容

1.一种用于冷却介质的制冷方法,其特征在于,所述冷却介质用于为半导体激光器制冷,所述方法包括:预先将制冷物质注入储气装置,将冷却介质注入储液装置;所述制冷物质包括:压缩气体、或液态气体;所述储液装置包括第一储液装置,所述第一储液装置上设置有第一排气口,所述储气装置通过第一阀门与所述第一储液装置连通;将所述第一储液装置上的第一排气口设置为打开状态,所述制冷物质在导入所述第一储液装置后,在所述第一储液装置中吸热膨胀,使得所述第一储液装置中的冷却介质连续冷却,膨胀后的制冷物质经所述第一排气口排出。