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具有多个发光结构的发光元件
摘要文本
本发明公开一种具有多个发光结构的发光元件，其包含一第一半导体层；第一发光结构与第二发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一半导体层为连续的；多个第一电极，位于第一半导体层之上；多个第二电极，位于第一半导体层之上；多个电绝缘部，位于多个第二电极与第一半导体层之间；以及第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层的一上表面，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。
申请人信息
- 申请人:晶元光电股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 晶元光电股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有多个发光结构的发光元件 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201910265078.9 |
| 申请日 | 2013年9月3日 |
| 公告号 | CN110047865B |
| 公开日 | 2024年2月23日 |
| IPC主分类号 | H01L27/15 |
| 权利人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 发明人 | 欧震; 张峻玮; 吴致纬; 王圣智; 蔡欣玫; 蔡佳珍; 张全成 |
| 地址 | 中国台湾新竹市 |
专利主权项内容
1.一种发光元件，其特征在于，该发光元件包含︰第一半导体层；第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上，其中该第一半导体层为连续的；多个第一电极，位于该第一半导体层之上；多个第二电极，位于该第一半导体层之上，与该多个第一电极互相分离；多个电绝缘部，位于该多个第二电极与该第一半导体层之间；以及第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层的上表面，其中该多个第一电极与该多个第二电极不位于该第一沟槽之中。