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反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪
摘要文本
一种反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，包括铅屏蔽室和安装于铅屏蔽室内部的主探测器、环反符合探测器和顶探测器，顶探测器位于环反符合探测器的上方；环反符合探测器的中部设有空腔，空腔的下部形成用于安装主探测器的第一空腔，空腔的上部形成用于盛放待检测样品的第二空腔。本发明反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，同时实现反康普顿散射和反宇宙射线的功能，进一步提高放射性测量的精度，最大限度的降低检测下限。 马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:上海新漫传感科技有限公司
- 申请人地址:201821 上海市嘉定区嘉定工业园区叶城路1411号3幢
- 发明人: 上海新漫传感科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710588660.X |
| 申请日 | 2017年7月18日 |
| 公告号 | CN107238855B |
| 公开日 | 2024年1月26日 |
| IPC主分类号 | G01T1/36 |
| 权利人 | 上海新漫传感科技有限公司 |
| 发明人 | 马佳林; 徐强; 陈永林; 侯瑞瑶 |
| 地址 | 上海市嘉定区嘉定工业园区叶城路1411号3幢 |
专利主权项内容
1.一种反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：包括铅屏蔽室(5)和安装于铅屏蔽室(5)内部的主探测器(1)、环反符合探测器(2)和顶探测器(3), 顶探测器(3)位于环反符合探测器(2)的上方；环反符合探测器(2)的中部设有空腔，空腔的下部形成用于安装主探测器(1)的第一空腔(201), 空腔的上部形成用于盛放待检测样品的第二空腔(202)。