← 返回列表
高对称性能双向瞬态电压抑制器及其制造方法
摘要文本
本发明公开了一种高对称性能双向瞬态电压抑制器的制造方法，通过调整纵向NPN结构中的上下两部分N型掺杂浓度梯度和结深，尽可能匹配上下两个PN结物理特性，从而获得两端各个性能参数的高度对称和最优。基于该发明制作的双向瞬态电压抑制器的两端性能指标相差在5％以内，几乎可以认为完全对称，而且彼此之间没有性能损失。
申请人信息
- 申请人:上海领矽半导体有限公司
- 申请人地址:201412 上海市奉贤区四团镇彭平公路878号1幢407室
- 发明人: 上海领矽半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 高对称性能双向瞬态电压抑制器及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710608089.3 |
| 申请日 | 2017年7月24日 |
| 公告号 | CN107689370B |
| 公开日 | 2024年3月22日 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 上海领矽半导体有限公司 |
| 发明人 | 倪凯彬 |
| 地址 | 上海市奉贤区四团镇彭平公路878号1幢407室 |
专利主权项内容
1.一种高对称性能双向瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01.准备N型掺杂衬底，在所述N型掺杂衬底上生长P型补偿外延层与P型基区外延层；所述P型补偿外延层的浓度大于P型基区外延层；步骤02.在P型基区外延的基础上，使用光刻定义出上部PN结的N型掺杂区域，在N型掺杂区域内首先做一步高能N型离子注入，紧接着再做一步N型离子注入，两步离子注入完成以后，进入炉管结合使用氧化增强扩散进行高温退火，完成上部PN结的N型掺杂区的扩散形成；步骤03.上部PN结的N型掺杂区的周围形成深槽隔离区；步骤04.在深槽隔离区通过光刻和湿法刻蚀打开接触孔淀积介质层，再淀积金属层作为上电级；步骤05.完成上电级金属层的刻蚀，淀积钝化层，保护并刻开压焊脚，根据封装体的要求减薄晶圆背面厚度，再做背面金属化形成下电极。