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一种超材料
摘要文本
本发明提供了一种超材料，包括单层超材料层，单层超材料层包括介质基底、附着在介质基底上的导电几何结构层以及穿透导电几何结构层设置的至少一个通孔单元，通孔单元包括在平面二维方向并列排布的不同尺寸的两对通孔，且每个通孔的中心为等间距排布。本发明提供的超材料通过不同微结构的耦合叠加来调节微结构结构参数，以此在太赫兹范围内实现多谐振或者宽谐振；同时，单层超材料层构成的超材料具有重量轻、价格低廉、易于加工的优势，相比多层材料的设计，能够节省成本，从而有效地解决了现有技术中的太赫兹器件的加工困难，成本高昂的问题，更加具有实际应用价值。 更多数据：搜索马克数据网来源：
申请人信息
- 申请人:深圳光启高等理工研究院; 深圳光启创新技术有限公司
- 申请人地址:518057 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦2楼
- 发明人: 深圳光启高等理工研究院; 深圳光启创新技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种超材料 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201510514714.9 |
| 申请日 | 2015年8月20日 |
| 公告号 | CN106469856B |
| 公开日 | 2024年1月19日 |
| IPC主分类号 | H01Q15/00 |
| 权利人 | 深圳光启高等理工研究院; 深圳光启创新技术有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦2楼; 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B |
专利主权项内容
1.一种超材料，其特征在于，所述超材料包括单层超材料层，所述单层超材料层包括介质基底、附着在所述介质基底上的导电几何结构层以及穿透所述导电几何结构层设置的至少一个通孔单元，所述通孔单元包括在平面二维方向并列排布的不同尺寸的两对通孔，且每个所述通孔的中心为等间距排布，其中，所述介质基底和所述导电几何结构层均为单层，并且所述导电几何结构层由电磁损耗材料制成，其中，所述导电几何结构层的厚度为6μm至25μm，所述介质基底的厚度为6μm至25μm，其中，将每个所述通孔单元以及所述通孔单元所在的所述导电几何结构层的部分定义为一个导电几何结构单元，所述导电几何结构单元的结构周期为Lx＝Ly，且Lx与Ly的取值范围均为640～960μm，所述导电几何结构层的面积占所述介质基底的面积的5％～30％，其中，所述超材料是利用在同一层所述电磁损耗材料上的不同尺寸的具有所述电磁耗损材料的微结构，通过不同微结构的耦合叠加来调节微结构结构参数，以此在太赫兹范围内实现多谐振或者宽谐振。。马 克 数 据 网