馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备

申请号: CN201710518535.1

申请人: 北京北方华创微电子装备有限公司

申请日期: 2017年6月29日

本公开提供了一种馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备。射频功率经馈入结构的引入杆中心馈入，并由多个分配杆均匀分配到靶材。

1.一种馈入结构，用于物理气相沉积设备，包括：引入杆，接收功率；引入板，耦接至所述引入杆，且具有多个孔；以及多个分配杆，所述多个分配杆围绕所述引入杆的轴线均匀分布，并且每个分配杆的一端耦接到所述引入板，另一端向靶材提供功率；其中：沿所述引入板半径增大方向，所述多个孔的尺寸渐增。