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静电防护电路及其可控硅整流器
摘要文本
本发明涉及一种用于静电防护的可控硅整流器，包括衬底、深埋层、第一类型阱区、第二类型阱区、第一类型掺杂区和第二类型掺杂区。第一类型阱区包括互相间隔的第一子阱区和第二子阱区。第二类型阱区介于第一子阱区和第二子阱区之间以将二者隔离，其中第二类型阱区的横向尺寸与可控硅整流器的触发电压和保持电压关联。第一类型掺杂区位于第一类型阱区的表面，包括第一至第四掺杂区，第一和第二掺杂区位于该第一类型阱区的表面的两侧，第三和第四掺杂区分别与第二类型阱区的顶部两侧相邻。第二类型掺杂区位于第一类型阱区的表面，包括第五和第六掺杂区，第五掺杂区间隔地位于该第一和第三掺杂区之间，第六掺杂区间隔地位于第二和第四掺杂区之间。
申请人信息
- 申请人:大唐恩智浦半导体有限公司
- 申请人地址:226400 江苏省南通市如东县县城黄河路南侧井冈山路西侧
- 发明人: 大唐恩智浦半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 静电防护电路及其可控硅整流器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201510981761.4 |
| 申请日 | 2015年12月24日 |
| 公告号 | CN106920843B |
| 公开日 | 2024年1月9日 |
| IPC主分类号 | H01L29/74 |
| 权利人 | 大唐恩智浦半导体有限公司 |
| 发明人 | 朱瑞; 陈晓峰; 李建峰 |
| 地址 | 江苏省南通市如东县县城黄河路南侧井冈山路西侧 |
专利主权项内容
1.一种用于静电防护的可控硅整流器，包括：衬底；深埋层，位于该衬底之上；第一类型阱区，位于该深埋层之上，包括互相间隔的第一子阱区和第二子阱区；第二类型阱区，位于该深埋层之上且介于该第一子阱区和该第二子阱区之间以将该第一子阱区和该第二子阱区隔离，其中该第二类型阱区的横向尺寸与该可控硅整流器的触发电压和保持电压关联；第一类型掺杂区，位于该第一类型阱区的表面，包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区，该第一掺杂区和该第二掺杂区位于该第一类型阱区的表面的两侧，该第三掺杂区和该第四掺杂区分别与该第二类型阱区的顶部两侧相邻；第二类型掺杂区，位于该第一类型阱区的表面，包括第五掺杂区和第六掺杂区，该第五掺杂区间隔地位于该第一掺杂区和该第三掺杂区之间，该第六掺杂区间隔地位于该第二掺杂区和该第四掺杂区之间；其中，该第二类型阱区的横向尺寸与该可控硅整流器的触发电压满足如下公式：其中q为电子电荷，N为宽度为L的区域内的阱掺杂浓度，ε为硅的介电常数。AAs 马-克-数据