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发光器件、电子装置及发光器件制作方法

申请号: CN201710922434.0
申请人: 京东方科技集团股份有限公司; 合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日期: 2017年9月30日

摘要文本

一种发光器件、电子装置及发光器件制作方法。该发光器件包括衬底基板、发光单元、封装盖板和导光结构。发光单元设置于所述衬底基板上;封装盖板与所述衬底基板相对设置,覆盖所述发光单元;导光结构设置于所述发光单元的出光侧且包括多个柱状的第一结构。导光结构配置为所述发光单元所发出的光能够直接入射至所述第一结构中,并使得所述光能够从所述封装盖板一侧出射。该发光器件的整体透光率较高,且导光结构的第一结构对应的局部透光率较高,亮度较高,有利于形成所需的发光图形。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 发光器件、电子装置及发光器件制作方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201710922434.0
申请日 2017年9月30日
公告号 CN107689426B
公开日 2024年4月5日
IPC主分类号 H10K50/85
权利人 京东方科技集团股份有限公司; 合肥鑫晟光电科技有限公司
发明人 陈鹏; 张新霞
地址 北京市朝阳区酒仙桥路10号; 安徽省合肥市新站区胜利路88号

专利主权项内容

1.一种发光器件,包括:衬底基板;发光单元,设置于所述衬底基板上;封装盖板,与所述衬底基板相对设置,覆盖所述发光单元;以及导光结构,设置于所述发光单元的出光侧且包括多个第一结构;其中,所述导光结构配置为所述发光单元所发出的光能够入射至所述第一结构中,并使得所述光能够从所述封装盖板一侧出射;所述导光结构还包括第二结构,所述第二结构覆盖至少部分所述第一结构的侧表面;所述第二结构的材料的折射率小于所述第一结构的材料的折射率;所述导光结构的第一结构的平行于所述衬底基板的横截面的沿平行于所述衬底基板方向的尺寸为微米级或纳米级;所述多个第一结构的平面形状在同心环状上排布,所述多个第一结构沿所述同心环状的径向的排布密度不同,沿所述同心环状的径向且从所述同心环状的内部到所述同心环状的边缘,相邻的所述同心环状之间的距离逐渐变大以使得所述多个第一结构的排布密度逐渐变小。。关注公众号马 克 数 据 网