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存储单元及存储器
摘要文本
本发明实施例提供了一种存储单元及存储器，包括：开关模块和存储元件，所述存储元件的第一极与所述开关模块的第一端相连，所述存储元件的第二极与电源模块相连，所述开关模块的第二端与字线相连，用于选通所述存储元件的所述字线；所述开关模块的控制端与位线连接。本发明实施例提供了一种存储单元及存储器，提高了非易失性存储器的集成度以及非易失性存储器的存储性能。
申请人信息
- 申请人:兆易创新科技集团股份有限公司
- 申请人地址:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
- 发明人: 兆易创新科技集团股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 存储单元及存储器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710541206.9 |
| 申请日 | 2017年7月5日 |
| 公告号 | CN109215710B |
| 公开日 | 2024年1月23日 |
| IPC主分类号 | G11C13/00 |
| 权利人 | 兆易创新科技集团股份有限公司 |
| 发明人 | 苏志强; 刘璐; 李建新 |
| 地址 | 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101 |
专利主权项内容
1.一种存储单元，其特征在于，包括：开关模块和存储元件，所述存储元件的第一极与所述开关模块的第一端相连，所述存储元件的第二极与电源模块相连，所述开关模块的第二端与字线相连，用于选通所述存储元件的所述字线；所述开关模块的控制端与位线连接；所述开关模块为MOS管，所述存储元件的第一极与所述MOS管的漏极相连；所述MOS管的栅极与所述字线相连，所述MOS管的源极与所述位线连接；所述存储元件的个数大于1，所述MOS管的数量为1个，多个所述存储元件的第一极与所述MOS管的漏极相连，多个所述存储元件的第二极与所述电源模块中的同一子电源电压信号相连。